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锆钛酸铅镧铁电薄膜(PLZT)由于具备许多优良的铁电、介电性能、压电效应和电光效应等物理性能,被广泛的应用于动态随机存储器DRAM、非挥发性存储器FeRAM等铁电集成领域。对于铁电集成器件的应用,不仅要求一定的膜厚,而且需要特定的图形,因此,适应特定铁电器件膜厚和图形需求的图形化薄膜制备技术,对于铁电器件的发展具有重要的理论意义和实用价值。本研究针对DRAM和FeRAM器件应用的典型膜厚需求(0.2μm～0.3μm),在化学修饰的溶胶-凝胶工艺的基础上,引入PVP改性剂,采用直接感光法研究