【摘 要】
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静电感应晶闸管SITH是一种重要的电力半导体器件.它以优异的器件性能,如额定控制功率大,工作频率高,正向压降小,开关损耗低,di/dt和dv/dt耐量大等,在很多领域得到了广泛的应
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静电感应晶闸管SITH是一种重要的电力半导体器件.它以优异的器件性能,如额定控制功率大,工作频率高,正向压降小,开关损耗低,di/dt和dv/dt耐量大等,在很多领域得到了广泛的应用,为大幅度节能、节材、提高生产效率提供了重要手段.该论文正是与兰州大学微电子研究所电力静电感应晶闸管SITH的科技攻关工作相结合的.全文是围绕如何提高器件的栅阴极击穿电压BV<,GK>而展开的.首先对SITH的基本作用机理进行了介绍.并在此基础上,对器件材料参数的选取进行了讨论,对器件的结构参数进行了分析.论文重点考虑了影响栅阴极击穿电压BV<,GK>的因素.通过制管实践,我们发现深槽的形成是解决BV<,GK>的关键因素.并从提高栅阴极击穿电压BV<,GK>的角度,对器件的版图进行了优化调整.增加了刻蚀深槽及与之相配套的版图.而且配合新版图,设计了相应的工艺方案.通过单项试验,得到了相应工艺的最佳条件.通过流片试验,试制了管芯.对管芯测试分析表明,提出的新方案是可行性.栅阴极击穿电压BV<,GK>已明显得到了提高.由于工艺条件和时间的限制,管芯的I-V特性还不是很好,有待进一步的提高.最后根据实验结果对制管实践提出了进一步改进的对策,使得器件的BV<,GK>和I-V特性得到统一.
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