随着社会不断的向信息化迈进，要求电子元器件和模块具有高集成、高稳定、低损耗和多功能等特点。性能单一的材料已经很难满足新型器件的要求，将各种材料的特殊功能进行复合，无疑会在器件的设计上提供更大的自由度，这使得功能复合材料的研究成为了一个重要方向和热点。使用低温共烧陶瓷技术制作无源器件，可提高电路的组装密度。但是不同的介质具有不同的致密化速率和烧成收缩率，因此器件的性能也会受到很大的影响。鉴于应用不同介质制作的微波器件所存在的问题，本文进行了 PZT-NiCuZn铁氧体复合双性材料的开发及掺杂改性的研究，期望可以用其来制作电子元器件。主要研究内容为：　　1.研究了 Bi取代对 NiCuZn铁氧体材料显微结构和电磁性能的影响。利用扫描电镜SEM、EDS等分析手段考察Bi取代对NiCuZn铁氧体材料微观结构的影响规律。通过对材料的复磁导率和功率损耗进行测试，考察Bi取代对NiCuZn铁氧体材料电磁性能的影响情况。　　2.在 Bi取代 NiCuZn铁氧体材料的基础上，研究不同掺杂剂对低温共烧复合双性材料的改性机制。考察不同的PbO、Co2O3掺杂量对复合双性材料微观结构及电磁性能的影响规律。　　3.采用本文研制的PZT-NiCuZn铁氧体复合双性材料为基板材料，制备多层片式LTCC低通滤波器。利用ADS软件对其电路进行仿真和HFSS软件对其三维结构进行仿真，最终设计并制作出封装尺寸为0805型(2.0mm×1.25mm×0.8mm)的LTCC低通滤波器：截止频率为60MHz，带内纹波小于0.5dB，在120MHz处衰减大于15dB。