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宽禁带半导体材料被称为“第三代半导体材料”,具有不小于2.3 eV的禁带宽度,较高的光学透明性和饱和电子漂移速率,以及小的介电常数等特点。与传统硅基光电探测器相比,宽禁带半导体基光电探测器可以有效解决当今功率电子器件研究所面临的“硅极限”问题。此外,同一种材料体系,由于制备的工艺不同,获得的光电特性差异很大,研究更为理想的宽禁带半导体材料的光电效应具有十分重要的意义。氧化锌(ZnO)和氧化铟锡(ITO)带宽为3.3~4.3eV,是新型的宽禁带半导体材料。ZnO和ITO既有高透明性又有导电性,此外,ZnO和ITO材料还具备良好的物理化学稳定性,在制备透明导电薄膜、液晶显示、光催化、气敏器件以及太阳能电池等光电领域有着重要的应用前景。本文在理论研究的基础上,利用带有电荷的多聚赖氨酸(PLL)作为实验原料,成功制备出一种新型的有机-无机复合结构光电探测器,并对其增强光伏效应进行了系统研究。(1)I、用溶液法制得颗粒度均匀的氧化锌纳米颗粒;II、用化学气相传输法制得直径均匀的氧化锌纳米线;III、用化学气相传输法在镀氧化铟锡硅片表面制备出密度可调、直径在100-200nm的氧化铟锡纳米线。(2)制作的氧化锌纳米结构光电探测器,分析I-V测试结果可知:I、在氙灯白光、532nm激光器、808nm激光器和1064nm激光器的照射下,复合PLL后的光电探测器的光电流分别比未复合前的光电探测器提高了2.456倍、2.241倍、5.772倍和2.527倍。II、相对于黑暗条件下,所有的光照条件下的电流都增加了。其中,所制作的ZnO光电探测器对532nm激光脉冲的响应更敏感,光电流比暗电流提高了12.86倍。(3)制作的氧化铟锡纳米结构光电探测器:I、分析I-V测试结果可知:在532nm绿光激光器和808nm红外激光器的激光脉冲作用下,复合PLL后的光电探测器的光电流对比暗电流显著提高,实验所得ITO光电探测器对808nm激光脉冲的响应更敏感。II、分析光生电压测试结果可知,采用波长为532nm,功率为893mW的绿色激光器作为光源,通过频率8Hz的斩波器后照射在光电探测器上,所观察到的滴加多聚氨基酸之后的ITO光电探测器光生电压比未滴加多聚赖氨酸的ITO探测器提高了43%。同样方法采用波长为808nm,功率为962mW的红外激光照射在光电探测器上,滴加多聚赖氨酸后的ITO光电探测器光生电压是未滴加多聚赖氨酸的ITO探测器的3.33倍。这说明复合多聚赖氨酸后ITO纳米结构光电探测器的光伏效应得到明显增强,而对808nm激光器的响应比对532nm激光器增强更多。