透明导电氧化物（TCO）材料由于可以同时具有很高的电导率和从可见光到近红外波段的透光性得到广泛的应用。近年来由于光伏器件和显示屏等方面的快速发展,传统的透明导电氧化物材料已经不能满足需求。相比于传统的TCO材料,CdO薄膜有更高的电导率（>1×104S/cm）和迁移率（>100cm²/Vs）,而且载流子浓度大于10²¹/cm³。但是CdO薄膜的本征带隙只有2.2eV,这一特性严重限制了 CdO薄膜的在紫外波段的透光性。为了解决这个问题,可以将金属元素掺杂入CdO薄膜中,通过Burstein-Moss效应来调整其带隙的大小。我们首先通过射频溅射法制备了 Y掺杂的CdO薄膜,并对不同Y掺杂浓度的薄膜性能以及快速退火对薄膜性能的影响进行了研究。我们还制备了 In和Y共掺杂的CdO薄膜,对其性能和退火对共掺杂薄膜的影响进行了研究。通过射频溅射法制备的Y掺杂CdO薄膜都是立方岩盐CdO相,Y在CdO晶格中取代Cd离子的位点,提供一个自由电子给导带,使薄膜的载流子浓度上升。薄膜在可见光及近红外区域的平均透过率在75%-95%,掺杂浓度9%的薄膜光学带隙3.09eV,本征带隙增加了 0.4eV。9%掺杂的薄膜载流子浓度下降是由于Y有原子态Y和Y3+两种存在形式,薄膜迁移率快速下降主要是Y的局域d态与CdO的导带之间的反键相互作用所导致。退火后载流子浓度快速增加,电阻率降低。1.4%掺杂的薄膜在500℃退火后,有122cm²/Ns的高迁移率和1.5×10^-4Ω·cm的低电阻率。在退火过程中薄膜平均晶粒尺寸增大,减少了晶粒边界的散射,薄膜迁移率增加。In和Y的共掺杂能有效地提高薄膜的载流子浓度至10²¹/cm³,同时电阻率在10^-4Ω·cm。In₂O₃靶溅射功率10W时,薄膜载流子浓度n～8.66×10220/cm³,迁移率 μ～52.3cm²/Vs,电阻率 ρ～1.36×10^-4·cm,500℃退火后,载流子浓度～10²¹/cm³,迁移率、电导率也略微上升。Y的掺杂能有效地提高CdO薄膜的性能和光学带隙,掺杂浓度2.4%的CYO薄膜在退火温度500℃时退火一分钟,其载流子浓度n～6.3×10²⁰/cm³,迁移率μ～75cm²/Vs,电阻率ρ～1.3×10^-4·cm,这可以与商业用的透明导电氧化物材料ITO的导电性相媲美。