【摘 要】
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本论文使用传统的JS-450A射频溅射系统利用两步法（降温降偏压法）沉积立方氮化硼薄膜，分别研究了各工艺参数对立方氮化硼成核和生长的影响。本文还研究了立方相含量与光学带隙的关系，在n型Si(111)片和熔融石英片上沉积出不同体积分数的立方氮化硼薄膜，薄膜的成分由傅立叶红外吸收谱标识；用紫外-可见分光光度计测量了沉积在石英片上的BN薄膜的透射光谱Te(λ)和反射光谱Re(λ)，薄膜的厚度用台阶仪测得
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本论文使用传统的JS-450A射频溅射系统利用两步法（降温降偏压法）沉积立方氮化硼薄膜，分别研究了各工艺参数对立方氮化硼成核和生长的影响。本文还研究了立方相含量与光学带隙的关系，在n型Si(111)片和熔融石英片上沉积出不同体积分数的立方氮化硼薄膜，薄膜的成分由傅立叶红外吸收谱标识；用紫外-可见分光光度计测量了沉积在石英片上的BN薄膜的透射光谱Te(λ)和反射光谱Re(λ)，薄膜的厚度用台阶仪测得。由透射、反射光谱计算了薄膜的光吸收系数α，进而采用有效的中间形式，确定了氮化硼薄膜的光学带隙。结果表明
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