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TiN因具有高强度、高硬度、高熔点、高化学稳定性、耐磨损、良好的导热性等一系列优点以及在增强材料的光致发光、改变半导体的带宽等方面的应用而成为目前广泛研究的材料之一。一维SiC纳米材料因其具有良好的热稳定性和化学稳定性、高的热导率、高的临界击穿场强、较低的功函数和优异的力学性质,成为场发射阴极材料的首选材料之一,是国内外研究热点。本文以TiN_X薄膜为缓冲层,通过制备条件的改变,研究其对一维SiC纳米材料场发射性能的影响。在论文工作中,进行了以下几个方面的研究:(1)研究了不