随着智能时代的到来,方便、快捷、智能的光电器件越来越受人们欢迎。稀土掺杂的铁电材料不仅具有良好的铁电性能,还拥有优异的发光性能,为设计新型光电器件提供了更多机会。以往对铁电铌氧化物材料的研究主要集中于介电、铁电、压电方面,对该类材料光学性能,尤其是光响应性能方面的研究相对较少。为适应未来光电技术对新型材料的需求,在传统材料的基础上,发展新的性能、探索新效应、揭示新规律对于未来光电领域集成光电器件的开发具有重要意义。为此,开展了以下研究:（1）以高温固相反应法合成了一种新型的Sr Bi2Nb2O9（SBN）基光致变色铁电荧光材料,这种材料具有优异的上转换发光性能且对可见光的辐照十分敏感。在405nm近紫外光辐照下,样品的上转换发光调控幅度可达79.2%,伴随有明显的颜色变化,说明发光调控是由光致变色效应导致的。同时,掺杂适量的Mo离子能大幅度增强发光调控幅度,并且在热处理下这种调控手段是可逆的。最后,解释了光致变色效应与发光调控的内在关联。（2）上一个工作研究的SBN基光致变色陶瓷具有良好的发光调控性能,在这基础上通过改变掺杂稀土离子以及金属离子合成了新的SBN基陶瓷样品,探究了掺杂不同金属离子在光辐照下对材料发光调控行为的影响。其中,发光调控幅度最高可达77.6%,并在热处理下能够实现可逆发光调控。另外,在405nm近紫外光辐照调控的基础上引入了可控外部电场,发光调控能力得到增强,最大提升幅度可达16.7%。最后,对缺陷调控机制进行了深入探究。（3）采用高温固相法制备了一种新型无机钨青铜上转换发光材料Ba0.7Sr0.3-1.5xErxNb2O6,近紫外光辐照对该材料的上转换发光有较强的调控作用,调控幅度最高可达79.4%。随着铒离子掺杂量的增加,样品的发光调控能力逐渐增强,说明铒离子的掺杂是引起发光调控的关键。值得注意的是,发光调控过程没有明显颜色变化,说明材料的发光调控不是由光致变色效应引起的。通过光辐照和热刺激两个过程同样实现了上转换发光的可逆调控,而且此类材料在存储数据读取方面具有无损读出能力,在光存储方面具有很好的应用前景。最后解释了上转换发光与近紫外光辐照之间的内在调控机理。