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在信息飞速发展的今天,作为通信核心所在的大容量的数据中心内部的数据传输需要更高速率更多通道但传输距离不是很长(一般不超过300米)的传输系统。电互联存在速率带宽有限、电磁兼容困难等问题而无法满足需求。而一般的长距离光传输由于成本、速率和体积的限制也无法满足要求,于是人们对甚短距离(Very Short Reach, VSR)光传输技术的需求十分迫切。本文对并行VSR传输系统中的核心器件十二通道并行光发射模块进行研究。十二通道并行光发射模块由垂直腔面发射激光器(vertical-cavity surface Emitting Laser, VCSEL)阵列,激光器驱动电路,控制电路等部分组成。其中VCSEL阵列是光发射模块的核心部件,它的作用是把高频电信号转换为光信号。因为模块所使用的VCSEL工作在高频状态,所以它对制备工艺水平的要求较一般激光器更高。本论文对十二路并行光发射模块中的VCSEL阵列进行设计与研制,采用所研制的VCSEL阵列制备了光发射组件。采用GaAs基850nm VCSEL激光器外延片,经过光刻、刻蚀、湿法氧化、磁控溅射、退火合金化、封装解理等工艺,完成了可以满足12通道光发射模块要求的高速率850nm VCSEL阵列的制备。VCSEL激光器管芯为异面电极形式,便于管芯与热沉间的焊装和性能测试。在VCSEL激光器制备中重点对刻蚀工艺进行研究。一方面,刻蚀是确保VCSEL激光器的芯片质量和器件性能是至关重要的一环；另一方面,刻蚀工艺是制备高精度微透镜的一种简便的方法。实验中使用两步法刻蚀工艺得到了纵宽比大并且表面粗糙度低的刻蚀台面。最终获得刻蚀表面粗糙度达纳米量级。并使用单步刻蚀法实现了GaAs微透镜的制备,使用这种方法可以直接把微透镜集成在底面出光的VCSEL上,并以此作为输出耦合透镜可以构成复合腔结构,进而提高光束质量。在VCSEL激光器结构设计和芯片制备研究的基础上,完成了十二通道并行光发射组件的研制,组件单通道速率为2.5Gbps。组件使用自行研制的850nmVCSEL阵列作为光源。组件光学接口采用了MTP/MPO标准,电信号采用SMA-KHD9插座连接。经测试光发射组件在2.5Gbps速率下传输时误码率低于1×10-13、眼图清晰。