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近年来，随着电子产品的快速发展，人们对于轻便超便携，低功耗及高密度快速存储设备的要求越来越高，而且鉴于传统Flash存储器在集成电路工艺技术发展中受到限制，新型非挥发性存储器，如RRAM（Resistive RandomAccess Memory, RRAM），以其低功耗、结构简单、集成度高、操作电压低、读写速度快、与现在半导体工艺兼容等特点，在国内外引起了广泛的关注和研究。其中，柔性材料因其轻便、低成本及良好的抗机械弯曲等优势性能在电子行业、传感器领域及太阳能薄膜电池行业得到了大量的研究与发展，基于以上技术趋势，对柔性阻变存储器的研究也越来越引起大家的重视。本论文主要研究了基于TiO2的柔性阻变存储器在采用不同电极材料的情况下的性能变化，采用超高真空磁控溅射在经过退火处理的聚酰亚胺PI薄膜上沉积金属-绝缘体-金属（MIM）三明治结构，并利用台阶仪，原子力显微镜（AFM），四探针电阻测试仪及半导体参数分析仪（SPA）对薄膜厚度形貌及开关特性进行表征与分析。具体研究内容如下：首先，研究了不同衬底材料及衬底处理对电极薄膜形貌性能及阻变薄膜性能的影响。测试结果表明：Si衬底上电极薄膜形貌表面平整，颗粒大小均匀，分布致密，未经过退火处理的PI薄膜上电极材料形貌较差，Si衬底上电极电阻率为80m Ω/□，但器件都表现出了良好的阻变特性。其次，在经过退火处理的PI薄膜衬底上，研究了不同延展性下电极对TiO2阻变薄膜性能的影响。通过磁控溅射在PI衬底上分别沉积了Cu, Al, W, Ag作为电极材料，以Cu，W，Ag为下电极制备的存储器件具有良好的单极阻变特性，以Al为下电极的器件表现出来良好的双极阻变特性。最后，研究了在不同电极材料下，柔性阻变存储单元的机械抗弯曲性能。在不同下电极上采用相同工艺条件沉积TiO2薄膜，测试其电阻开关特性，之后对其进行不同程度的弯曲测试，开始都表现出良好的柔韧性，阻变特性无明显衰退，在经过500次弯曲后，以Cu,Al,Ag作为下电极的器件阻变倍率出现了下降，而以W为下电极的器件性能依然良好，弯曲次数可以达到1000次。本论文通过对不同下电极对柔性TiO2阻变存储特性影响的研究，并对柔性存储进行了初步的研究与测试，有望为下一步柔性阻变存储器的研究发展与应用打下基础。