【摘 要】
:
六角结构Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体因其宽禁带、较高的热稳定性和化学稳定性,很有希望在蓝绿光发光二极管和激光二极管、高速高频光纤通信转换器、高功率HBT等器件制造方面得到广泛
论文部分内容阅读
六角结构Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体因其宽禁带、较高的热稳定性和化学稳定性,很有希望在蓝绿光发光二极管和激光二极管、高速高频光纤通信转换器、高功率HBT等器件制造方面得到广泛应用.近来,大量的实验报道了六角结构的Ⅲ-Ⅴ氮化物外延生长材料特别是GaN和AlN中存在很强的极化场.这些极化场部分来自于材料本身的极性(自发极化),部分来自Ⅲ-Ⅴ氮化物材料同衬底之间以及不同外延层之间的晶格失配所导致的应变(压电极化).该论文在有效质量的理论框架内,从Luttinger-Kohn的k·p微扰Hamiltonian出发,比较深入、全面地对AlGaN/GaN量子阱的能带结构、光学增益特别是动量矩阵元进行研究和讨论.
其他文献
和丽斌(以下简称“和”):许多批评家和学者把1989年的“中国现代艺术大展”作为一个重要的时间节点,我对您的采访也想从1989年的现代艺术大展开始说起,想请您谈谈当时的情况,
本论文回顾了量子纠错的基本理论,包括经典纠错和量子纠错的核心思想、量子纠错条件、稳定字码、量子Hamming界、图态方法构造量子纠错码、量子纠缠及纠缠辅助量子纠错等。在
该工作采用射频磁性溅射方法在不国热衬底ITO/玻璃上制备了钙钛矿型PLZT透明电薄膜,研究制备过程中参量选择与薄膜纵横驰骋及成分的关系,结合XRD、XPS、SEM、AFM等测试手段,
利用正电子湮没、X-射线衍射结构分析和透射电镜等实验手段,研究了Fe、Co作Cu位替代的YBa2Cu3-xMxOy(x=0-0.5,M=Fe、Co)体系的微结构变化、缺陷特性和超导电性。并对巨磁阻材料
This research report is a summmary of the results obtrined in my postdoctoral research work. The report consists of three parts.In partl, we investigate the eff
形状记忆合金是一种集感知和驱动力为一体的材料,同时具有优化的机械性能、阻尼性能、抗腐蚀性及生物相容性,是智能材料的侯选材料之一。形状记忆合金独特的性能与该合金的马
在当今信息量呈现出持续爆炸式增长的背景下,作为信息存储主流方式的磁性存储迎来了更多的挑战。从发现强各向异性自旋链开始,人们就对其在信息存储上的潜在应用寄予很大的希望
该学位论文采用Monte Carlo方法对外场驱动下的经典O(n)自旋体系进行了系统的模拟计算研究.为了更好地研究双相结构材料的磁特性,在模型分别在哈密顿量中引入单离子各向异性