【摘 要】
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六角结构Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体因其宽禁带、较高的热稳定性和化学稳定性,很有希望在蓝绿光发光二极管和激光二极管、高速高频光纤通信转换器、高功率HBT等器件制造方面得到广泛
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六角结构Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体因其宽禁带、较高的热稳定性和化学稳定性,很有希望在蓝绿光发光二极管和激光二极管、高速高频光纤通信转换器、高功率HBT等器件制造方面得到广泛应用.近来,大量的实验报道了六角结构的Ⅲ-Ⅴ氮化物外延生长材料特别是GaN和AlN中存在很强的极化场.这些极化场部分来自于材料本身的极性(自发极化),部分来自Ⅲ-Ⅴ氮化物材料同衬底之间以及不同外延层之间的晶格失配所导致的应变(压电极化).该论文在有效质量的理论框架内,从Luttinger-Kohn的k·p微扰Hamiltonian出发,比较深入、全面地对AlGaN/GaN量子阱的能带结构、光学增益特别是动量矩阵元进行研究和讨论.
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