湿法制备一维氧化铋粉体及生长机理研究

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氧化铋具有α、β、γ、δ等多种物相,具有多种晶体结构。其主要应用领域是电子陶瓷材料、光电材料、高温超导材料、催化剂、电解质材料,具有广泛的用途。但关于Bi2O3一维材料的制备的研究较少,本文旨在研究一维氧化铋粉体材料的制备和表征。本论文采用化学沉淀法,在强碱性环境中,以无机盐Na2SO4为分散剂合成了尺寸均匀的α-Bi2O3晶须。考察了沉淀剂浓度、添加剂种类及浓度、反应时间对于氧化铋晶须形成的影响。采用XRD、SEM、TEM等技术对产品进行了物相、形貌的表征。通过调节反应参数,成功合成了平
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本文利用超高真空磁控溅射技术在Si(100)基底上设计合成ReB2/TaN纳米多层膜。利用扫面电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)等手段分析了膜层的组织和结构;利用表面轮廓仪(XP-2)和纳米力学测试系统研究机械性能,包括:薄膜的内应力,硬度、弹性模量以及薄膜与基底的附着力,薄膜厚度。并从纳米多层膜致硬机制入手,探讨多层膜结构及其组分对其硬度的影响。
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沸石分子筛膜因其耐高温、耐腐蚀、高分离性能等优点而具有广阔的应用前景,近十多年来,NaA型分子筛膜因其独特的亲水性能和小孔径而被广泛应用于渗透汽化分离有机物中的水分和小分子气体分离方面,很多研究者对该领域进行了深入全面的研究,并取得了较大的进展。结合当前NaA型分子筛膜的国内外研究现状和研究热点,本文通过考察NaA型分子筛及NaA型分子筛膜成膜过程中的多种影响因素,进而优化合成条件,采用微波辐射的
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采用射频磁控溅射法成功制备了磁性元素Ni掺杂AlN稀磁半导体薄膜。Ni以替代的方式进入AlN晶格中,掺杂后的薄膜仍为六方纤锌矿结构。薄膜在5 K和室温下均具有铁磁性。薄膜的饱和磁化强度和矫顽力随Ni掺杂量增加而降低。5 K和室温时,Ni掺杂量由1.9%增加到2.6%,样品的最大饱和磁化强度分别为0.025和0.014 emu/g;样品的最大矫顽力分别为208和60 Oe。所有掺杂样品的居里温度均高
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