近年来,硅烯因其特殊的输运性质成为二维半导体材料领域的研究热点。本文采用紧束缚近似理论和非平衡格林函数方法,从理论上计算和分析了外加电场时非磁性杂质对锯齿形边界硅烯纳米带输运性质的影响。我们通过在导区中各格点引入随机的无序势,来实现硅烯的无序效应。考虑Rashba自旋轨道耦合和本征自旋轨道耦合对硅烯的影响,利用非平衡格林函数和分通道计算透射系数的方法,研究了考虑外加电场和非磁性杂质的情况下,硅烯纳米条带的能带结构、电导率和谷极化率等性质,得到以下结论:外加垂直电场后,能级简并解除,并且随着电场强度的增大,硅烯体系体带隙宽度减小,导致硅烯完美谷极化平台宽度变窄;不考虑杂质对体系的影响时,K谷和K’谷以及体系总电导均呈现出台阶状结构,电子传输都在各自的谷中进行;考虑非磁性杂质后,杂质的存在使电荷局域性增强,杂质对载流子的散射破坏了K谷和K’谷的电导平台结构,但是边态受杂质的影响不大,边态的传输仍然在各自的谷内进行,谷极化的完美平台结构没有遭到破坏,表现出硅烯边态输运的鲁棒性。