自从金属化合物MgB<,2>超导电性的发现以来,其简单而又独特的超导电性引起了人们的强烈的研究兴趣.本论文的主要工作首先回顾了MgB<,2>中的超导电性和输运机制.应用第一性原理计算,可以得出MgB<,2>电子能带结构和声子结构以及电声耦合强度,在此基础上,MgB<,2>的超导微观图象便显现出来.更进一步,结合第一性原理的计算结果,各向异性Eliashberg理论可以比较准确地描述MgB<,2>中的超导电性.结果表明MgB<,2>中较高的转变温度起源于硼原子σ能带空穴与E<,2g>声子模式的强烈耦合,同位素效应的稍稍降低起源于相关声子的较大的非简谐性.另外,超导能隙大小在不同费米面上变化很大,能隙△(k)在低温时分成两组,较小的约为2meV而较大的约为7meV,结果激子越过小能隙导致准粒子态密度和低温比热增加.所有这些都与各向异性Eliashberg理论和当前实验结果符合的很好.另外,本论文还系统研究当前MgB<,2>超导薄膜制备法,到目前为止,比较成功地制备出MgB<,2>超导薄膜的合成方法包括脉冲激光沉积法,电子束共蒸发,热蒸发,两步异位镁扩散法和混合物理化学气相沉积法.在这些方法中,有的制备出的薄膜光滑平整但晶化程度小,有的又正好相反.综合考虑这些方法中的优缺点后,这里提出了一种新的制备MgB<,2>超导薄膜的方法--原位物理化学气相沉积法.使用这种方法,尽管设备简单,但还是可以制备出MgB<,2>薄膜来.