噻吩稠联的TTF衍生物的合成与电性质,以及三聚吲哚衍生物的分子内电荷转移性质

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自上世纪70年代合成了四硫富瓦烯(Tetrathiafulvalene,简称TTF),并发现其在有机导电材料上的重要应用后,TTF及其衍生物型化合物便引起众人的强烈兴趣。由此,TTF型系列电子给体也成为有机光电材料中引人注目的一个重要分支,其应用涵盖了超导材料、有机场效应晶体管(Organic Field Effect Transistor,简称OFET)等诸多领域。本论文的主要研究目标是新型的TTF衍生物型电子给体,包括它们的合成、结构、电性质等方面。TTF衍生物随着分子内含硫原子数的增加,其分子间的S...S作用也相应增强,同时,由于共轭体系的变大,分子间的π-π堆积效应亦逐步变强。本文详细地介绍一种闭环的TTF衍生物的合成。最后,利用电化学和吸收光谱等方法研究了聚吲哚及其系列化合物的分子内电荷转移情况。1.TTF衍生物的合成和表征。合成了含有七个硫原子的噻吩稠联的化合物TDTO-TTP (5-(thieno[3,4-d][1,3]dithiol-2-ylidene)-[1,3]dithiolo[4,5-d][1,3]dithiol-2-one),并且测定了其晶体体结构。TDTO-TTP晶体的堆积方式与著名的场效应晶体DT-TTF相同,用密度泛函方法,6-311g(d)基组,计算得到场效应迁移率μ可达1.492cm2V-1S-1.2.通过循环伏安和差示脉冲伏安(Differential Pulse Voltammetry,简称DPV)等电化学分析手段说明三聚吲哚及其系列化合物的分子存在较强的π共轭性。而且结合其紫外-可见吸收光谱(UV-vis spectra)的结果,推测以三聚吲哚为母核的2,7,12-位取代化合物和3,8,13-位取代化合物存在着不同的电子转移方式。同时,以氧化滴定的方法,对这一推测加以验证。
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