【摘 要】
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TiSiC材料集陶瓷和金属的许多优点于一身:象金属那样,它具有较好的导电性和导热性(比Ti、TiC好),易加工;象陶瓷那样,它又具有根高的弹性模量,很好的耐高温性能,在真空或惰性
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Ti<,3>SiC<,2>材料集陶瓷和金属的许多优点于一身:象金属那样,它具有较好的导电性和导热性(比Ti、TiC好),易加工;象陶瓷那样,它又具有根高的弹性模量,很好的耐高温性能,在真空或惰性气体中1700℃仍不分解.该文以Ti<,6>Cw八面体和Si原子为生长基元提出了Ti<,3>SiC<,2>晶粒的生长模型,该文指出了在压力存在的条件下Ti<,3>SiC<,2>晶粒将会出现{000l}面织构并使用函数拟合的方法对其面织构的特性进行了描述.该文还发现JCPDS卡片上的粉未X光衍射数据有错误并给出了较好的获得正确数据的方法.该文还揭示出<,5>Si<,3>Cx在Ti<,3>SiC<,2>的生成中起着很重要的作用,其烧结为液相烧结.
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