InAs/GaSb II类超晶格材料是近年兴起的新型本征吸收窄禁带半导体材料，优异的性能使其在军事等领域有非常广泛的应用。受材料生长技术和水平的限制，国内有关InAs/GaSb II类超晶格红外探测器的报道较少。另外，InAs/GaSb II类超晶格红外探测器的台面腐蚀和表面钝化水平还有待提高。本论文使用分子束外延技术，超高真空环境下在GaSb衬底上外延生长了InAs/GaSb II类超晶格材料。设计出多次套刻腐蚀技术，制备了红外探测器芯片。主要研究内容和进展如下：生长出8ML InAs/8ML GaSb结构的中波超晶格和4ML InAs/8ML GaSb结构的短波超晶格材料，揭示了生长参数对InAs/GaSb II类超晶格结构和光电性能的影响规律，优化了其生长参数。阐明了生长温度（445℃－485℃）对不同界面的中波超晶格晶体结构和表面形貌的影响机理。使用了生长中断法和表面迁移率增强法（MEE）两种不同的快门控制方法，使用MEE法可以对界面结构和界面厚度进行精确控制，同时有效抑制As/Sb间的置换过程。得出了快门中断时间、InSb界面生长时间、V族元素束流等参数对超晶格材料应变性质的影响规律，实现了对超晶格界面控制参数的优化。使用优化的生长参数，获得了晶格应变小于0.13%、表面10μm×10μm面积内粗糙度为1.7nm的高质量超晶格材料。成功制备了InAs/GaSb超晶格中、短波红外探测器和pin光电二极管，器件台面结构制备采用湿法腐蚀和电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀技术。湿法化学腐蚀采用了磷酸系和酒石酸酸系的腐蚀液；干法刻蚀使用不同的刻蚀气氛，包括氯基（Cl2/Ar=5/15）、氩气（Ar）和甲基（CH4/H2/Ar=15/50/5）。经过对比研究发现，湿法腐蚀中磷酸系腐蚀后台面平整、表面无残留，但是因为侧向钻蚀存在，湿法腐蚀只适用于单元红外器件制作工艺。干法刻蚀中甲基气氛刻蚀后的台面平整、侧壁光滑，侧壁角度为约80度，台阶深度易控制，适合深台阶焦平面探测器制备，干法刻蚀后的表面损伤使用磷酸系腐蚀液去除。采用了几种不同的表面钝化方法对InAs/GaSb II类超晶格器件进行钝化。钝化后漏电流密度减小三到五个数量级，性能大大提高。钝化方法包括阳极硫化加二氧化硅（SiO2）、阳极氧化加SiO2、阳极硫化加硫化锌（ZnS）和(NH4)2S化学钝化加ZnS。还提出了在InAs/GaSb II类超晶格上使用阳极氟化加ZnS的钝化方法。俄歇电子能谱测试证实了氟化的钝化效果作用在超晶格表面。I-V特性测试分析了钝化技术对抑制表面漏电流的作用，证明了钝化方法的工艺可靠性。制备出中波和短波红外探测器，对这两种探测器进行了变温光谱响应测试和成像试验。在77K温度下，中波探测器R0A为3×105Ω cm2，归一化的峰值探测率D*达到3×1010cm Hz1/2w-1。短波探测器R0A为2×106Ω cm2，归一化峰值探测率D*为1.3×1011cm Hz1/2/W。