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D-D中子发生器中子产额及能谱分析
【摘 要】
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中子的发现对认识原子核内部结构是一个转折点,具有重大的理论意义。自然界中不存在自由中子,自由中子则可以由核衰变、核反应或高能反应等中子源产生。中子发生器需要通过其中子产额、角分布、中子能谱等方面来进行评价。考虑科学研究、成本条件以及应用需求等因素,加速器中子源为性价比较高的中子源。加速器中子源具有中子产额高、可以在较宽的能区获得单能中子、可以在直流或脉冲模式下工作、γ本底低等优点。为优化D-D中子
【机 构】
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西南科技大学
【出 处】
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西南科技大学
【发表日期】
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2021年01期
【基金项目】
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其他文献
由于具有高灵敏度、高分辨率和水环境友好等特点,表面增强拉曼散射(Surface-enhanced Raman Scattering,简称SERS)光谱在表面科学、分析科学和生物医学等方面获得了广泛的应用。SERS基底是SERS技术的核心,为了增强其实用性,SERS基底应具有高稳定性、优异的灵敏度、低成本、高重现性和均匀性等特性。利用纳米球刻印技术(Nanosphere Lithography,简称