近年来，人们对探求高真空紫外光(VUV)激发下性能优良的荧光粉产生了越来越浓厚的兴趣。硼酸盐基质具有较高的化学稳定性和较好的结晶性，本文着重研究了稀土离子掺杂的硼酸盐荧光粉的合成及发光性能。 采用高温固相法制备了稀土离子掺杂的LnZr(BO3):Re(Ln=Ba，Sr;Re=Eu，Tb)系列荧光粉，并对其结构特性及发光性能进行了研究。样品的X射线粉末衍射数据与JCPDS(No.24-0129)标准卡片符合得很好，激活离子的掺入没有引起基质结构的明显变化，表明我们合成的材料是钡锆硼酸盐，属于CaMg(CO3)2型化合物。 在Ba(1-x)SrxZr(BO3)2:Eu3+系列样品，通过改变x的不同取值，分别测定了不同组分荧光体激发光谱和发射光谱，Ba(1-x)SrxZr(BO3)2:Eu3+样品的激发谱在130-170nm和230nm区域有两个很强的宽的吸收带，位于130-170nm的吸收带主要是硼酸盐基质的吸收；位于230nm附近的吸收主要是Eu3+电荷转移态的吸收。随着x的增大，硼酸盐基质的吸收强度减弱，基质吸收带的主峰值向高能方向移动了大约30nm。样品Ba(1-x)SrxZr(BO3)2:Eu3+在147nm激发下，发射出主峰值位于616nm的强红光，对应Eu3+电偶极(5D0→7F2)跃迁发射。当以Al部分取代Zr时，位于230nm电荷转移态的吸收明显增强，同时提高了样品Ba(1-x)SrxZr(BO3)2:Eu3+的发光亮度和强度。 在Ba(1-x)SrxZr(BO3)2:Tb3+系列样品中，样品在VUV的激发谱由位于130nm-170nm的宽带和分散在160nm-300nm几个峰组成。位于130nm-170nm内的激发带主要是基质吸收，Tb3+的(4f8→4f75d)吸收位于150nm～260nm的区域内，并观察到基质与稀土离子Tb3+之间存在较强的能量传递。从吸收谱可以发现，随着x的增大，荧光体吸收谱带的主峰很明显地由130nm，147nm向147nm，174nm移动。当在样品Ba(1-x)SrxZr(BO3)2:Tb3+中掺杂Ce3+时，样品在VUV(130nm-170nm)吸收降低，并且随着Ce3a浓度的增大，Tb3+的发光有明显的猝灭现象，因此在PDP荧光粉材料中尽量避免Ce3+的存在。 从发射光谱可以发现，在147nm的激发下，发射峰由492nm,546nm,592nm和624nm组成，分别对应Tb3+的5D4→7FJ(J=6，5，4，3)跃迁发射，其中546nm是主发峰，强度远远超过其它几个峰。 在对LnZr(BO3)2:Re(Ln=Ba,Sr;Re=Eu,Tb)研究中，我们发现，从同基质向不同激活离子的能量传输效率不同，可能是由于Eu3+与Tb3+的能级结构不同所致。