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近年来，由于人口数量的急剧增加所导致的污染问题和能源匮乏问题日趋严重，对于环境污染的治理和开发新能源已经成为我们可持续发展战略下的重大课题。利用太阳能解决环境和能源两大难题是最优的选择，同时，半导体光催化技术已经得到了广泛的研究和应用。Cu2MX4(M=Mo或W，X=S或Se)是一类新型的层状结构三元硫化金属化合物。这种层状结构非常有利于提升光催化及光电催化性能。Cu2MoS4作为三元层状结构化合物的重要成员具有较好的光电催化性能。本论文将围绕提高Cu2MoS4的光电催化性能展开研究。 利用水热法制备了纯相Cu2MoS4材料，通过提拉法制作C/Cu2MoS4光电极。X射线衍射分析(XRD)证实了样品是含有碳点(CDs)的Cu2MoS4;扫描电子显微镜(SEM)证实了Cu2MoS4的形貌是方片结构，复合CDs后方片上出现了许多小球;透射电子显微镜(TEM)进一步证实了方片上的小球是CDs;拉曼光谱(Raman)测试分析同样证实了CDs与Cu2MoS4的复合结构。由于CDs良好的电导性以及更广泛的吸收光谱范围增强了其光电催化性能，伏安线性扫描(LSV)测试证明了与纯相Cu2MoS4相比C/Cu2MoS4的光电催化性能有了明显改善。 通过退火的方法制备了C3N4/Cu2MoS4样品。通过XRD、SEM、Raman等对样品进行表征。以甲基橙作为目标污染物进行光催化性能的研究。结果表明C3N4/Cu2MoS4复合半导体纳米材料在可见光下对甲基橙有较好的光催化降解效果。通过降解甲基橙染料的循环实验证实了催化剂的稳定性，最后通过捕获剂实验研究了C3N4/Cu2MoS4光催化降解的可能机制。