钨酸镉（CdWO₄）晶体是发光领域中极具竞争力的基质材料，因其优越的性能而被大量的研究并应用于闪烁，激光等领域中。当钨酸镉晶体中掺入不同的活性离子时，其光学性质能被显著改善。过去的研究表明，钨酸镉晶体中的Cd²⁺的格位容易被低价态的阳离子所取代，而晶体中W⁶⁺的格位易被高价态阳离子取代。本论文拟采用坩埚下降法技术生长Cr³⁺和Mn²⁺离子掺杂的钨酸镉单晶。获得了较大尺寸的单晶体。并对他们的光谱性质进行了测试表征。所得结果如下。（1）选取CdO, WO₃和Cr₂O₃作为晶体生长原料，三者的化学组分摩尔比为100：100：0.5。经多次实验，最终确定固液界面温度梯度为～50℃，晶体生长速度为～0.05mm/h。可以成功地生长出了质量好的～Φ25mm×100mm的Cr³⁺离子掺杂CdWO₄单晶。测定了退火前后晶体不同部位的X射线粉末衍射（XRD）、吸收、激发和发射光谱。在472nm和708nm附近观察到两个比较宽的吸收带，它们可归结为Cr³⁺的⁴A_2g→⁴T_1g和⁴A_2g→⁴T_2g跃迁吸收。在632nm附近存在一个弱而窄的吸收峰，这归属于Cr³⁺的⁴A_2g→²Eg的能级跃迁（即R线吸收）。根据吸收特性和晶体分裂场理论,计算了Cr³⁺在该CdWO₄晶体中的晶格场参数Dq=1412.4cm^-1，Racah参量B=776.8cm^-1与C=3427.6cm^-1。在675nm光的激发下，观察到发光中心为1000nm的近红外宽带发射,这可归结为Cr³⁺的⁴T_2g→⁴A_2g能级跃迁。根据离子半径和价态分析，推测Cr³⁺离子可能取代钨酸镉晶体中Cd²⁺的格位，处于氧八面体配位中。在对晶体做氧退火处理后，晶体质量得到明显改善， Cr³⁺离子的有效光吸收增强，其荧光发射强度也明显增强。这可能是由于氧退火处理能减少晶体中的氧缺陷，从而减少氧缺陷引起的光吸收，相反增强了Cr³⁺离子的有效光吸收，最终导致其荧光发射峰强度的增强。（2）选取CdO, WO₃和MnO作为晶体生长原料，三者的化学组分摩尔比为100：100：0.5。经多次实验，最终确定固液界面温度梯度为～50℃，晶体生长速度为～0.05mm/h。可以成功地生长出了质量好的～Φ25mm×100mm的Mn²⁺离子掺杂CdWO₄单晶。研究与分析了晶体的吸收和荧光光谱。结果表明，在490nm波长处可以观测到Mn²⁺掺杂CdWO₄晶体中Mn²⁺的特征吸收峰，在其发射光谱中观测到发光中心为～591nm的橙色荧光带，这可归结为Mn²⁺离子的⁴T_2g→⁶A1g能级跃迁。在经过空气和氧气氛退火处理后，晶体中Mn²⁺离子的特征吸收和荧光发射都明显增强。这可能是由于退火处理能减少晶体中的氧缺陷，从而减少氧缺陷引起的光吸收。最终导致Mn²⁺离子的有效光吸收增强，其荧光发射强度也相应得到增强。