有机气相沉积法制备酞菁钴纳米材料及其光学性质的研究

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酞菁钴(CoPe)是一种18π电子大杂环共轭体系的有机小分子半导体材料,由于同质多晶性,具有许多的光电和磁学性质,在有机光伏器件、OLED器件和有机场效应晶体管器件有诸多的应用潜力。有机气相沉积法是制备酞菁纳米材料的重要方法之一。本论文的主要工作是研究CoPe纳米材料与有机气相沉积实验参数之间的关系,并表征CoPc纳米材料的光学性质。在实验过程中,通过调控沉积参数,如温度场、载气流量、温度梯度、衬底材料和沉积时间等制备CoPe纳米线。在大量的实验工作之后,确定了CoPe纳米线最佳的有机气相沉积实验参数:载气流量为400sccm,沉积腔室保持为常压,源材料加热到450℃。CoPe纳米线具有新的物相,直径在50-60nm的范围内。CoPe纳米线在空气中非常稳定;但在溶液中,它的形貌特征会发生显著的变化。衬底材料以及衬底表面的粗糙度对CoPe纳米线的生长没有影响。XRD研究表明:CoPe纳米线有一种新的物相,命名为J-CoPc。J-CoPc纳米线的FTIR和UV-Visible吸收光谱不同于其他晶型的CoPc。J-CoPc的特征红外吸收峰位于731.33cm-1、777.94cm-1和914.38cm-1处。J-CoPc的吸收峰在B带位于310nm;在Q带有两个吸收峰,分别位于600nm和730nm。
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