半导体光催化在新能源与环境治理方面展现出重要的应用前景。其中,WO₃以其良好的稳定性与电荷传输性质得到了研究者的广泛关注。提高WO₃的光催化性能则成为光催化领域的重要课题。电荷分离效率和表面活性位点贡献率是影响WO₃光催化效率的主要因素。围绕上述两个因素,本文从构建W@WO₃欧姆结与制备大比例高能晶面的WO₃纳米片两方面展开研究,分别提高WO₃电荷分离效率与表面活性位点贡献率,从而提升WO₃半导体光催化活性。其相应的研究工作如下:（1）借助钨粉与硝酸的部分氧化和后续退火进程制备W@WO₃复合物,构建W@WO₃金属-半导体欧姆结,从而提高WO₃半导体的电荷分离效率。XRD、SEM和TEM测试表明WO₃纳米片外延生长于钨核表面从而形成W@WO₃核壳结构,且硝酸水溶液浓度与搅拌时间可以对WO₃壳层的厚度和致密度进行相应调控。光降解实验表明,具有较薄较稀疏WO₃壳层的W@WO₃复合物体现了较高的紫外光催化矿化乙醛能力。综合分析证明了W@WO₃欧姆结的形成。W@WO₃欧姆结处的内建电场可导致光生电子由WO₃壳层向钨核进行迁移,促进了光生电子-空穴对的分离,因此提高了WO₃半导体的光氧化能力。（2）以钨粉与硝酸之间的氧化还原反应为基础,依次添加结构导向剂草酸、柠檬酸和P123调整WO₃纳米片的尺寸,得到不同比例高能晶面的WO₃纳米片,从而调控WO₃表面活性位点贡献率。XRD和TEM测试表明,各样品结构均为正交晶相WO₃六面体结构,主要暴露晶面为高能晶面（001）面。SEM测试表明草酸、柠檬酸和P123的依次添加可以提高WO₃纳米片中（001）面的暴露比例。紫外光降解实验表明,拥有较大比例（001）晶面的WO₃纳米片对应着较高的乙醛降解与矿化能力。上述结果主要归因于WO₃纳米片表面活性位点数目的提升。