关于低功耗SRAM PUF的研究

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在当今社会,每天都会有大量信息的交换与传输。在这些信息的交换传输中,信息安全问题不容忽视,因此常使用AES,DES等加密方式去加密一些重要的信息。而在AES,DES或其它加密方式的使用中需要使用到大量随机数源,过去使用的随机数常为算法产生的伪随机数,安全性较低。为解决信息安全上的不足,出现了物理不可复制函数PUF这一概念,随后对物理不可复制函数PUF的研究一直在不断进行着。本文对SRAM PUF的运行过程,运行原理进行了分析,并在过去Pelgrom关于晶体管失配研究的基础上,提出了一种新的6T-SRAM PUF模型,利用virtuoso软件仿真验证了晶体管尺寸,节点电容,电压上升时间对SRAM PUF上电状态的影响,并找到了最优失配情况和最低功耗下的6T-SRAM PUF尺寸。在新模型的基础上,本文提出了一种新的8T-SRAM PUF,相比于6T,8T通过加入两个开关管,实现了对电路失配程度的放大。8T-SRAM PUF电路在罗姆130nm CMOS工艺下进行了版图设计和流片。单个单元阵列包括64行*4列=256个单元,一共7个单元阵列,共256*7=1792个单元。流片完成后对两块SRAM PUF电路的误码率进行了测量,在无视8T开关管的情况下,两块SRAM PUF误码率分别为3%和5%左右,使用开关管的情况下误码率降至1.9%和3.3%。对功耗进行了测量,在1V电压,10MHz频率下,平均电流为360uA,单元功耗约为20fJ/bit。本文研究了晶体管的NBTI和NBTI对SRAM PUF的影响,并利用NBTI对制造出的SRAM PUF进行了后处理,经过5小时NBTI处理后误码率成功由5.1%降至2.7%,实现了相比初始SRAM PUF的40%误码率改善。
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