稀土金属掺杂氮化铜的第一性原理研究

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【摘要】

：

氮化铜(Cu3N)作为一种可应用于光存储器和高速集成电路的新材料,已然成为一个研究热点。Cu3N是一种具有较高电阻率、较低热分解温度的亚稳态半导体材料,其晶体为反三氧化铼(anti-ReO3)型立方体结构,N原子分布在立方晶体的顶点处,Cu原子分布在立方晶体棱边的中心处并以共价键形式与N原子结合。Cu3N的结构很特殊,因为Cu原子未占据晶胞的体心位置,所以其立方体结构中存在许多空位,当其他原子填充

【作者】

：

吴振利

【机构】

：

南京邮电大学

【发表日期】

：

2015年03期

【关键词】

：

氮化铜稀土金属掺杂第一性原理物理性能

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