信息存储技术在21世纪越来越被人们关注,因为传统的存储技术已经逐渐的出现了技术瓶颈,人们希望通过研究新材料和开发新技术用来制备下一代更高容量和性能稳定的存储器件。铋基双钙钛矿材料起源于铋基钙钛矿材料,因为双钙钛矿材料具有原料选择性广,容易调节元素之间的比例和更广阔的开发性等特点,现在越来越多的科研工作者对铋基双钙钛矿材料进行研究。本文通过化学溶液沉积了镍锰酸铋和铁锰酸铋薄膜,主要研究铋基双钙钛矿材料镍锰酸铋和铁锰酸铋薄膜的的阻变效应和光学性能。（1）在Pt/Ti/Si O₂/Si衬底上制备Bi₂Fe Mn O₆薄膜,并研究了Au/Bi₂Fe Mn O₆/Pt/Ti/Si O₂/Si器件结构的阻变效应。结果表明,经正向和反向电压扫描的Au/Bi₂Fe Mn O₆/Pt/Ti/Si O₂/Si器件结构具有阻变效应,利用氧空位组成的导电通道的断开和复合过程解释了该薄膜器件的的阻变效应。（2）在FTO/Glass衬底上沉积了Bi₂Fe Mn O₆薄分别在不同退火温度退火,并且在N₂气氛中退火。利用扫描探针显微镜研究了薄膜的表面形态。结果表明,薄膜也具有明显的阻变效应。并从空间电荷限制电流和肖特基机制的角度分析了薄膜的导电机理。研究了它的阻变特性分析了它的传导机制。研究了它的光电特性,分析了黑暗情况下薄膜的传导机制（3）在ITO基片上沉积了Bi₂Fe Mn O₆薄膜器件,并研究了它的光电效应。利用X射线电子能谱和X射线衍射光谱表征了材料的元素化学价态和物相特征。用第一原理计算了薄膜材料的带隙,用紫外光可见光估算材料的带隙。结果表明Bi₂Fe Mn O₆薄膜具有光电特性,并且铁电极化过程可以控制切换光电效应。（4）在La Ni O₃/Si衬底上沉积了Bi₂Ni Mn O₆薄膜,并且在不同的温度下进行退火处理。结果表明室温测量Bi₂Ni Mn O₆薄膜具有电滞回线,说明它具有室温铁电性,且随着退火温度的升高出现钉扎束腰效应。从电流-电压特性来看,薄膜展示出从近乎线性的电导率到具有整流效应的二极管效应的过渡过程。通过分析其导电机理,发现具有二极管效应的样品具有明显的空间电荷效应。