【摘 要】
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随着一批新建高速铁路开通运营,我国高速铁路运营总里程稳居世界首位。中国国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要在交通建设重点工程专栏中明确指出,加快完善高速铁路网。另外,中国的高铁已经走出国门,面向国际。截至2016年底,我国铁路运营里程达到12.4万公里,其中高速铁路2.2万公里以上,中国已成为世界上高速铁路相关技术最全、运行速度最高、运营里程最长以及在建规模最大的国家。随着高速电气化铁路进程加快
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随着一批新建高速铁路开通运营,我国高速铁路运营总里程稳居世界首位。中国国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要在交通建设重点工程专栏中明确指出,加快完善高速铁路网。另外,中国的高铁已经走出国门,面向国际。截至2016年底,我国铁路运营里程达到12.4万公里,其中高速铁路2.2万公里以上,中国已成为世界上高速铁路相关技术最全、运行速度最高、运营里程最长以及在建规模最大的国家。随着高速电气化铁路进程加快,我国对铁路安全越来越重视,接触网作为牵引供电系统的重要组成部分,其故障的精确定位对于保证高速铁路安全高
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文化创意产业作为服务贸易最具生命力的典型代表,其发展水平与规模已经成为衡量一个国家或地区综合竞争力强弱的重要标准。发展文化创意产业不仅能培育新的经济增长点,而且是顺应产业经济发展潮流的必然选择。经过近十年的发展,福建文化创意产业发展总体态势良好,有优势,也有劣势,但是与先进地区的发展水平仍然存在较大差距。进入“十三五”时期,福建文化创意产业急需要一个突破升级的制度环境与发展契机。福建自贸试验区的成
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在许多纳米药物载体中,聚酰胺-胺(PAMAM)树枝状大分子化合物具备更加优越的性能。区别于传统药物转运体系,聚酰胺-胺树枝状大分子化合物的结构是由树枝状的支化单元按照代数重复迭代形成,由此产生的独特的核-壳结构使聚酰胺-胺树枝状大分子化合物的内部存在很多空腔,聚酰胺-胺树枝状大分子化合物通过静电引力、氢键和物理作用可以将药物分子捕获进入分子内部空腔,形成纳米药物复合物。此外,聚酰胺-胺树枝状大分子
高效、清洁的燃料电池的发展在解决环境污染和能源问题上有着重要作用。但是,当前阴极氧还原反应(ORR)催化剂主要是Pt/C催化剂,而铂的稀缺、价格昂贵致使燃料电池成本过高,阻碍了燃料电池的大规模应用。于是,寻找可以替代铂的催化剂成为人们的首要目标。其中,碳基ORR催化剂因其良好的稳定性,抗中毒能力和低的过氧化氢产率而成为研究的热点。目前,如何进一步提高这类催化剂的催化活性是当前燃料电池领域的主要研究
燃料电池是一种新型、绿色环保的能源转换装置,它能将化学能转化成电能。虽然在能源高效利用的研究领域掀起了“燃料电池”研究热潮,但是由于燃料电池的阴极氧还原催化剂材料的严重短缺和价格昂贵的因素,在很大程度上阻碍了燃料电池的应用前景。因此,研发一种新型、高效、价格便宜和储备充足的氧还原催化剂成为燃料电池研究的热门方向。本论文前三个实验探究了负载于碳(Vulcan XC-72)的含氮非贵金属配合物(M-N
近年来,有机污染是现今严重的环境污染问题之一,病危害人民的身体健康。吸附和光催化技术已被广泛应用于消除、降解有毒化学物品等领域。随着二维纳米材料的兴起,过度金属硫化物已经成为人们关注的核心,并依附其自身奇特的物理和化学性质多方面进行研究。在过度金属硫化物的大集体中,纳米级窄带系二硫化钼半导体材料,因其比表面积大、吸附能力强、催化反应活性高等特点被用作催化剂。本论文中,我们合成了不同形貌的二硫化钼和
架空线路及杆塔附件长期暴露在野外,很容易受到材料老化、污秽、飘挂物等外界因素的影响,使电力系统的运行存在安全隐患,因而对输电线路的巡检和维护是电力系统安全运行的重要保障。然而目前常规巡检方式效率低下、成本较高,因此采用一种飞滑式巡检机器人进行输电线路巡检能切实保证电力系统安全,提高经济效益。由于该飞滑式巡检机器人需要在正常运行的架空线路上作业,保证其受到电磁干扰的情况下能够安全稳定的带电作业尤为关
以氧化锌(ZnO)为代表的氧化物压敏电阻器(Metal oxide varistor,MOV)因具有优良的非线性伏-安特性和耐冲击能力而常作为电路保护用元器件广泛应用于电力电子系统中。ZnO压敏电阻材料成型后的制造技术中,表面金属化和电极-引线钎焊是非常关键的环节。表面金属化工艺仍以传统的丝网印刷银电极为主,然后采用高银含量锡-银-铜钎料(如Sn-3.0Ag-0.5Cu,即SAC305)实现电极-
随着各类电子行业快速发展,电源管理芯片得到巨大的应用需求,低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)因结构简单、精度高、响应快速等优点,成为了应用较为广泛的一类。传统LDO在芯片外接一个大电容来提升稳定性和瞬态响应能力,而伴随SoC系统芯片的发展,单个芯片中多个LDO同时供给电源,需要去掉传统LDO的外接电容来减小芯片面积和PCB板面积,提高集成度。因此,无片外电容LD