UV-B(280-315nm)是太阳光的固有组成部分。高剂量的UV-B会造成植物损伤，而低剂量的UV-B可作为一种信号因子影响植物的光形态建成反应。目前，人们对UV-B光形态建成反应的研究主要集中在植物的地上部分，包括下胚轴、叶片、叶柄，但对UV-B引起的植物根生长的变化关注甚少。本课题以模式植物拟南芥为实验材料，对低剂量UV-B辐射抑制拟南芥幼苗根的生长进行了研究，结果如下:　　1.低剂量的UV-B抑制拟南芥根的生长。用PI染色发现，经UV-B照射的拟南芥根，其细胞分裂数和细胞长度均小于生长在白光环境中的拟南芥。经DCFH-DA染色显示，低剂量的UV-B辐射不会诱导根部产生ROS。单细胞凝胶电泳结果表明，低剂量的UV-B辐射也不会引起DNA损伤。因此，低剂量的UV-B辐射抑制拟南芥根的生长不是由于胁迫反应造成的，而是一种光形态建成反应。　　2.将拟南芥种植于含有不同种类激素的培养基上，发现在UV-B环境中，种植于含有适量浓度赤霉素培养基上的拟南芥根长与生长在白光下的拟南芥根长无异。结果表明，UV-B可能是通过改变赤霉素信号来影响拟南芥根生长的。　　3.经UV-B辐射处理后，cop1-4突变体根比野生型长，它有更多的细胞分裂数和更长的细胞;sto突变体根比野生型短，它的细胞长度与野生型无异，但细胞数更少。由此表明，COP1可能是UV-B抑制拟南芥根生长过程中的正调控因子，能调控根分生区的细胞分裂和成熟区的细胞大小，STO可能只调控根分生区的细胞分裂而不能影响根成熟区细胞大小。　　4.UV-B辐射会抑制UVR8（UV-B的光受体）突变体根的生长，且这种抑制程度比野生型拟南芥更加严重。将拟南芥根部遮光，地上部暴露在UV-B环境中，可以发现UV-B抑制拟南芥根生长的现象消失了。　　综上所述，低剂量UV-B抑制拟南芥根的生长，可能是由于其改变了赤霉素信号进而抑制了细胞的分裂和细胞的伸长，这个过程可能需要COP1和STO的参与，并且需要UV-B直接照射拟南芥根部，整个过程并不需要UV-B的光受体UVR8的参与，表明根与叶片可能有不同的UV-B感知系统。