高压下BiSb,C6H6及(C6H5CH2NH3)2PbI4的结构和电输运性质研究

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本论文中,我们利用原位高压同步辐射X射线衍射、高压电输运性质测量等高压实验技术并结合第一性原理模拟计算,对BiSb、C6H6、及(C6H5CH2NH3)2PbI4高压条件下的结构和电输运性质进行了全面的研究,给出了电输运性质与结构性质的相互依赖关系,讨论了相关的相变和电输运变化机制。得到的主要结论如下:1、利用高压同步辐射X射线衍射、原位电阻率、变温电阻率、霍尔效应测量以及第一性原理结构预测等方法,深入地探究了高压下BiSb的结构和电输运性质变化。第一性原理结构预测和同步辐射X射线衍射结果表明,BiSb分别在8.5GPa和20.3GPa处,发生由R3m到I4/mcm再到Pm-3m的结构相变。其中,第一个R3m到I4/mcm的结构相变为两步演化过程,首先,由于层间距离的缩短,层间的Bi-Sb原子形成新键;随后,Sb原子与周围4个Bi原子形成的平面越来越平行于ab平面,在压力下形成四方的β-BiSb。高压原位电阻率、变温电阻率和霍尔效应测量结果表明,压力可以引起载流子浓度急剧增加,并且在4.0GPa左右时BiSb发生金属化相变。在4.0、8.0和20.0GPa附近,电阻率、载流子浓度、迁移率等电学参量异常变化。结构表征和密度泛函理论计算结果表明,第一个异常可以归因于层间Br-Sb成键引起的Weyl半金属相的形成。随后的两个异常变化分别源于三角到四方和四方到立方的结构相变。该部分研究内容为在破缺空间反演对称性的材料中寻找可操纵的拓扑Weyl半金属和探索类似的非金属合金在高压下的相变过程提供了参考。2、利用高压原位阻抗谱测量和密度泛函理论(DFT)计算方法,研究了50.0GPa范围内苯(C6H6)的电输运特性的变化过程。发现C6H6的电阻和弛豫频率分别在4.3和9.0GPa处发生了两次不连续的变化,这两次变化分别来自压力诱导的Pbca到P43212和P43212到P21/c的结构相变。确认了高压下电阻变化与活化能之间的关系,在测试区间内都为负值,说明了压力可以促进C6H6的导电性。确认了C6H6的复介电常数和介电损耗随压力的变化关系,复介电常数和介电损耗随压力的增大而增大。通过第一性原理计算,发现两个相邻C6H6分子间的π和π*键重叠度增加,是加压过程中C6H6带隙变窄、电导率上升的重要原因。3、利用高压原位阻抗谱测量方法,系统研究了二维有机-无机杂化钙钛矿(C6H5CH2NH3)2PbI4的电输运性质。通过对高压阻抗谱Nyquist表象的分析发现,(C6H5CH2NH3)2PbI4中存在晶粒传导、晶界传导和量子阱效应三个物理过程。其中,量子阱效应的存在使参数=(/(3)(Ξ/)>0,状态变量X是传输过程中非自陷态激子数。非自陷态激子数n与法拉第电流IF成正比(/(3=/9)>0),单位时间内传输过程中非自陷态激子数(99)∕(9与电极电位E成正比(/=((99)∕(9)/>0),因此在(C6H5CH2NH3)2PbI4的阻抗谱中发现感抗成分。此外,电输运过程中的晶界效应来源于有机间隔层,有机间隔层与无机传导层之间形成类似超晶格的效应。压力可以调控有机间隔层中分子间作用力,减少量子阱的形成,因此在高压力下电感消失,晶界电阻剧烈下降。
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