1988年巨磁电阻（GMR）效应的发现,开启了磁电子学研究的热潮,为磁性传感器领域带来了影响重大的变革。作为磁场传感的重要元件,GMR传感器相比传统AMR和HALL传感器具有灵敏度高、线性度好、体积较小、热稳定性优良和功率低等优点,成为传感技术领域的研究热点。而自旋阀结构材料作为制备GMR传感器的一种多层膜材料,具备了饱和场低、稳定性好、GMR效应高的优势,可以制备出性能优异的GMR传感器,在该研究领域内备受关注。为实现具有优良特性的GMR传感器,本文对传感器核心部分的自旋阀结构材料进行了研究,主要围绕着自旋阀薄膜材料的制备、自旋阀材料的结构特性以及性能参数的测试等方面来进行研究。论文首先对磁控溅射系统中各个靶材溅射时的沉积速率进行了标定。得到了在特定的溅射功率和溅射气压下,各个靶材制备薄膜的沉积速率,为后续自旋阀材料的生长与制备提供了基础。其次,本文在SiO₂衬底上,使用磁控溅射法制备出了结构为“缓冲层/自由层/非磁性隔离层/被钉扎层/反铁磁层/覆盖层”的Ir Mn顶钉扎材料。通过对该结构中各层薄膜的材料种类及厚度的对比研究,使用强磁场探针台测量了自旋阀材料的磁电阻曲线,对得到的数据进行了分析,并找到了各层结构最合适的材料种类及厚度,制备出了性能优良的自旋阀材料。最后,我们研究了测量时磁场与自旋阀易磁化轴之间的角度对自旋阀磁电阻曲线的影响,这个角度包括外加磁场位于自旋阀材料平面内时与材料易磁化轴的夹角和外加磁场位于与自旋阀材料平面垂直的平面内时,与材料易磁化轴在垂直方向上的夹角。对这两种情况下得到的曲线数据进行了处理和分析,研究磁场与自旋阀易磁化轴之间的角度特性。