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氮化镓(GaN)作为一种重要的III-V族第三代宽禁带半导体材料,具有稳定的物理化学性质和优越的光电性能,可以被用于紫外线探测器、高温高辐射探测器和高频大功率微波器件等。最近几年,随着GaN蓝光LED的成功研制,并获2014年度诺贝尔物理学奖,GaN已经成为了当下半导体材料领域研究中最火爆的研究对象之一。同时,随着纳米科技的发展,为GaN纳米材料的科学研究提供了有力的理论和技术支持,目前科研工作者对GaN纳米线的性质进行了大量的研究和报道。理论计算部分,基于第一性原理密度泛函理论,对C-Sn共掺Ga