随着电子和信息领域的迅速发展，要求元器件在不断微型化的同时，具备高储能、高可靠性、高精度以及功能集成化等特点。单一材料性能难以满足其要求，故复合两种或两种以上的材料，利用各自的优势制备具有高介电常数和良好加工性能的材料成为该领域研究的热点。根据渗流理论，向聚合物基体中加入金属导电填料，在渗流阈值附近能够使复合材料的介电常数突增。 本文以渗流理论为指导思想，以聚偏氟乙烯为聚合物基体，以银为填料，分别采用共混法和原位合成法，制备了具有高介电常数的一系列银/粉聚偏氟乙烯复合材料。采用机械混合法，经热压成型制备了一系列银/聚偏氟乙烯复合材料，研究了复合材料在填充不同含量银粉及化学改性的银粉的介电性能，并讨论了复合材料结构与性能的关系。结果表明，随着微细银粉体积分数的增加，复合材料的介电性能也随之增强。当银粉体积分数为15.5％，频率在100 Hz时，复合材料的介电常数可达58。在频率为102-105 Hz下，复合材料的介电常数表现出较好的频率稳定性，同时低的无机填充量，使银/聚偏氟乙烯复合材料保持了聚合物理想的柔韧性。微细银粉经β—巯基乙醇改性后，复合材料的介电常数有明显的增加。当银粉体积分数为15％，频率在100 Hz时，介电常数可以达到280，此时介电损耗为0.5左右。这是由于加入化学改性后的银粉，提高了复合材料的极性和界面效应，从而提高了介电常数。采用原位合成法，以聚偏氟乙烯为聚合物基体，以硝酸银为前躯体，以硼氢化钠为还原剂，制备了纳米银/聚偏氟乙烯复合材料。结果表明，复合材料中纳米银含量越高，介电常数也越大。在银含量相同的条件下，和微米银/聚偏氟乙烯复合材料相比，纳米银/聚偏氟乙烯复合材料的介电常数上升趋势相对明显一些。然而，当纳米银的体积分数超过15.5％（微米银/聚偏氟乙烯复合材料的渗流阈值），复合材料的介电常数只有16左右，这是由于复合材料中纳米银粒子的库仑阻塞效应导致的。