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本文利用分子束外延技术来制备In(Ga)As量子点,以反射式高能电子衍射仪作为实时监测工具,在GaAs(001)衬底上沉积一定量的Ga元素形成Ga液滴,随后开启As阀晶化,研究了形成的GaAs纳米结构与Ga的沉积量、衬底温度和As等效束流压强之间的关系;在经过Ga液滴刻蚀而具有纳米洞的GaAs衬底上沉积不同厚度的InAs材料形成量子点,利用扫描隧道显微镜研究了量子点的形成及分布与InAs沉积量之间的关系;通过生长多周期In(Ga)As/GaAs结构,研究了量子点的密度、尺寸大小及空间分布均匀性等参数随生长周期数增加的变化关系。研究结果表明,在GaAs(001)衬底上沉积一定量的Ga元素,当Ga的沉积量超过某一临界值(介于0.7~1.3ML之间)时,在GaAs(001)表面会形成Ga液滴结构;形成的Ga液滴在经过As压晶化后,由于Ga的沉积量,衬底温度和As等效束流压强的不同,形成的GaAs纳米结构有单环、双环,环-盘等结构,而在所有的影响因素中,又以As等效束流压强的作用最为明显;在经过Ga液滴刻蚀而具有纳米洞的GaAs衬底上沉积不同厚度的InAs材料形成量子点,在GaAs衬底平坦区,InAs按照SK模式生长;在衬底表面含有纳米洞的区域,由于在纳米洞内部和纳米洞开口周围分布有大量台阶,在台阶处存在着丰富的悬挂键,外延材料的分子更加倾向于在这里和衬底表面原子成键结合,因此量子点会优先在台阶处成核生长。当增加InAs的沉积量时,台阶对量子点成核影响减小。当沉积InAs的量达到2ML时,In(Ga)As量子点会围绕纳米洞按顺序呈环形分布,并且每个量子点的大小和形状都趋于一致。生长多周期In(Ga)As/GaAs结构,InAs和GaAs在竖直方向存在应力传递效应,随着生长周期数的增加,形成的In(Ga)As量子点的密度逐渐减小,而尺寸在逐渐增大,同时在整个衬底表面量子点的空间分布越来越均匀,形貌尺寸也逐渐趋于统一。