导体局部电场畸变容易引起局部微放电,长期存在的微放电会损坏电力设备高压绝缘,造成绝缘失效等安全事故,严重影响电力设备的安全稳定运行。为了研究抑制微放电的可靠方法,本文研究利用大气压等离子体表面改性技术在导体表面沉积绝缘薄膜和半导体薄膜,改善导体表面局部电场畸变的情况,在不影响导体本体性能的情况下,实现抑制微放电的目的。本文探索采用大气压等离子体增强化学气相沉积的方法,使用介质阻挡放电（DBD）作为等离子体源在铜导体表面沉积类Si O₂绝缘薄膜以及使用大气压等离子体射流沉积TiO₂半导体薄膜,以实现对不同应用环境下微放电现象的抑制。分别选用含硅前驱物正硅酸四乙酯（TEOS）以及含钛前驱物四氯化钛（TiCl₄）,使其被等离子体中的高能粒子激发以发生化学反应,在铜导体表面沉积得到一层均匀致密的薄膜;分析不同处理时间和基底加热、通入空气等不同处理条件下实验中的放电特性、发光特性,和所沉积薄膜的微观形貌、化学组成以及稳定特性等的变化情况,以获得最优的实验参数;设计实验测试研究两种薄膜对局部电场畸变以及微放电抑制的效果,优选出不同应用环境下抑制微放电的最佳方案。沉积实验结果表明,经过10 min的DBD沉积处理后,铜表面生成一层均匀的致密类SiO₂薄膜,厚度达1.27μm,其化学组成以Si-O-Si基团和Si-OH基团为主,且此时氧化程度较高,薄膜绝缘稳定性分析表明,在真空环境中保存的薄膜10天后其表面电阻率保持在10¹¹Ω左右,稳定性较好;射流处理沉积TiO₂薄膜实验中,在铜基底加热至100°C、通入40 sccm空气时反应最充分,得到的薄膜氧化程度最高,结合最紧密。微放电抑制效果评估实验中,射流沉积TiO₂薄膜使得导体尖端处电晕起始电压提高程度更大,从7.91 kV提高至11.24 kV,因此该方法对于导体表面缺陷引起的微放电是更优的选择;而对于GIL/GIS中自由金属微粒运动引起的微放电,在电极表面使用DBD沉积类SiO₂薄膜后金属微粒启举电压提升约34%,优于沉积TiO₂薄膜,因此是更合适的选择。