目前，随着超大规模集成电路的发展，半导体器件的特征尺寸已进入超深亚微米的阶段，器件也出现了很多新的物理效应。以往提取杂质浓度的方法已经不再适应。本文是用了基于CV数据的反向模型法来提取超深亚微米MOS器件的二维杂质浓度分布的。 　　在本文中首先给出了超深亚微米MOS器件的电容模型，然后分析了测量杂质浓度的很多破坏性和非破坏性的方法。讨论反向模型法的基本原理及具体的流程。在本文的最后，用基于CV数据的反向模型法来提取0.1μm的n沟道Si-MOSFET的二维杂质浓度的分布。 　　在文中将MOSFET看作是栅控二极管，其电容是栅电压和源/漏电压的函数。在一定的栅电压和源/漏电压下，通过比较这个栅控二极管的小信号电容的测量值与模拟值来反求杂质浓度。模拟初始，将在理论分布下所求的得电容值看作电容的测量值由。最后通过比较所求得的杂质浓度分布和理论杂质浓度分布，该方法是一种可行的方法。