化石能源的快速枯竭,人们越来越认识到发展可再生能源的重要性和迫切性。太阳电池得到了广泛的关注。但光伏产业在我国现状:有产业,没市场。其原因是原材料成本高,工艺要求高。因此探索低成本、新材料、新工艺的太阳电池非常有意义。　　 本文主要是研究了物理冶金法的磷吸杂工艺优化以及以冶金法多晶硅为衬底探讨了MIS(金属-绝缘体-半导体)太阳电池的制备,得到如下成果:　　 (1)详细研究了冶金法多晶硅磷吸杂的温度与时间的关系,发现在950℃、4h吸杂、双面腐蚀去除10～15μm吸杂层后,硅片的少子寿命提高的最多。同时把去除吸杂层的过程与制备绒面结合起来,采用腐蚀液为HF:HNO3=1:3,淀积氮化硅薄膜后,测量表面的反射谱,在600nm波长时,反射率为2％,在400-1000nm波段的反射率平均值为6.52％,效果良好;对磷扩散和杂质在吸杂过程中的运动做了模拟计算,分析吸杂的效果与去除吸杂层的关系。　　 (2)对以冶金法P-型多晶硅为衬底的MIS太阳电池进行了初步探索,希望能寻找一种制备成本很低、适合于冶金法多晶硅太阳电池的新结构和新方法。　　 从形成少子隧道结MIS太阳电池原理和能带图入手,论证了采用Ti/SiNx/P-Si结构在SiNx/P-Si界面可形成反型层,在控制好Ti和SiNx薄膜厚度和质量前提下,可获得少子隧道结MIS太阳电池。　　 分别采用磁控溅射和PECVD(增强等离子体化学气相淀积)技术,生长Ti和SiNx薄膜,研究了生长条件对Ti和SiNx薄膜质量的影响。　　 采用两种退火方法最终形成MIS太阳电池。一是用快速退火炉在600-800℃下退火使硅片表面的钛膜氮化;二是按照常规工艺在200-300℃下退火不使钛膜氮化。比较了钛膜有无氮化对MIS太阳电池性能的影响。　　 对不氮化样品的J-V、C-V和EQE(外量子效率)特性进行检测分析,结果表明与pn结很相似,证实了样品是少子隧道结MIS器件,具有较好的短波响应。　　 分析了减反射膜在提高MIS电池效率的作用,选用AZO(重掺Al的ZnO)薄膜制备减反射膜可使MIS电池电流密度由10.SmA/cm2提高到16.26mA/cm2。