【摘 要】
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本文通过Matthews Blakeslee模型对1.2μm高应变InGaAs量子阱的临界厚度进行了理论计算，通过多次生长样品确定了临界厚度为8.5nm，超过Matthews Blakeslee模型预测的6.5nm；设计了
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本文通过Matthews Blakeslee模型对1.2μm高应变InGaAs量子阱的临界厚度进行了理论计算，通过多次生长样品确定了临界厚度为8.5nm，超过Matthews Blakeslee模型预测的6.5nm；设计了1.2μm高应变InGaAs/GaAs量子阱结构并制备了高质量的外延材料。通过测试，获得长波长高应变InGaAs/GaAs材料的量子阱材料的发射波长为1.204μm，FWHM=28.6meV。
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