随着微纳米加工技术的不断发展,微纳米加工技术在医学、生物学、光学、能源、微电子、微机械等居多领域的应用变得越来越广泛。但是现有的微纳米加工技术远不能满足人类快速发展和进步的需求,因此各种新型的微纳米加工技术的研究仍然是科学界的一个十分重要的课题。本文提出了一种通过SU-8/PMMA双层胶压印技术制备微纳米阵列的方法,这种方法具有成本低,过程简单并且可实现大面积压印等优点。我们首先用PDMS模板压印涂有SU-8/PMMA双层胶的硅片,用ICP刻蚀后就在硅片表面得到具有内切结构的双层胶掩膜,这种结构非常有利于镀膜后的去胶,接着通过镀膜去胶成功制得了金微纳米线阵列结构,并结合金属辅助湿法刻蚀在硅片表面制备得到微纳米点阵列结构,两种阵列结构都具有良好的均匀性而且缺陷很少。该实验过程中SU-8和PMMA的膜厚、压印温度、ICP参数、镀膜厚度以及去胶时间是关键因数。最后我们通过这种方法制备了应用于太赫兹波传输研究的金微纳米线阵列,并制备了两种具有不同周期微纳米点阵结构的硅片,通过测试对比得出这两种硅片的反射率与普通平面硅相比减小了20%以上,其中周期小的点阵结构的减反射效果更好,这说明这种点阵结构在光伏产业具有一定的应用潜力。