【摘 要】
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该论文采用CH作为C源,在PECVD系统中制备了具有有机无机复合结构的a-SiC:H薄膜材料.对这种复合结构材料的微结构特性、有机--无机复合的光致发光和电致发光特性进行了系统的
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该论文采用C<,8>H<,10>作为C源,在PECVD系统中制备了具有有机无机复合结构的a-SiC:H薄膜材料.对这种复合结构材料的微结构特性、有机--无机复合的光致发光和电致发光特性进行了系统的研究.主要内容包括:1.通过红外光谱、X射线光电子谱等方法,详细的分析了用C<,8>H<,10>制备的a-SiC:H材料的结构.2.在室温下研究人员观察到了用C<,8>H<,10>制备的a-SiC:H薄膜有强烈的光致发光现象.与Nevin小组报道的结果不同,研究人员制备的a-SiC:H薄膜的发光与材料的带隙宽度有关.3.在特定的测试条件下,研究人员也观察到了发光能量与材料带隙无关的光致发光现象,和Nevin小组报道的结果类似.4.研究人员成功地实现了用C<,8>H<,10>制备的a-SiC:H材料的电致发光(EL).
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