GIS中VFTO对隔离开关气室的影响研究

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与敞开式高压配电装置相比,GIS的优点突出,但GIS也有缺点,那就是开关操作引起的VFTO会对GIS内外部的设备有一定的危害性,隔离开关气室是GIS内部的重要设备之一,其重要作用具有不可替代性,所以研究GIS中VFTO对隔离开关气室的影响具有重要意义。本文首先根据GIS中隔离开关气室的实际结构,构建了隔离开关燃弧状态时的模型,并且计算出隔离开关气室中盆式绝缘子的对地电容值,给出GIS中重要部件的模型和参数,计算出隔离开关气室中动触头左侧盆式绝缘子、动触头、静触头和静触头右侧盆式绝缘子处的VFTO波形,并且提取出其包含的频率成份以及各频率成份所对应的电压幅值,为分析VFTO作用下的暂态电场提供数据。然后根据GIS中隔离开关气室的实际结构,建立了GIS中隔离开关断口附近和盆式绝缘子的有限元模型,结合绝缘材料的介电常数与频率的非线性关系,计算出各频率分量作用下隔离开关断口附近的电场、电位分布和盆式绝缘子的电位分布,同时分别计算了各分量共同作用下和工频电压作用下各行程时断口附近和盆式绝缘子的电位分布以及动触头、静触头屏蔽罩和盆式绝缘子上下沿面的表面电场强度及盆式绝缘子上下沿面的法向和切向电场强度分布情况,并且对这两种情况进行了对比。计算结果对比表明,在VFTO作用下和工频电压作用下上述电场强度均出现了较大值,但是VFTO作用下的数值比工频电压作用下的数值要大,这说明在做绝缘性能分析和产品设计时,要考虑VFTO作用下的电场情况。最后,由于绝缘介质在高频电压作用下存在松弛极化而使介质内部发热引起介质损耗,鉴于时间有限,本文只简要分析VFTO作用下盆式绝缘子的发热情况,为GIS中高压绝缘材料的设计提供参考。
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