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随着电子技术的快速发展,对电路系统的集成度要求也越来越高,作为三大无源器件之一的电感器,必然要向着小型化,高频化的趋势发展,研究重点集中于提高电感量。本文从减少漏磁的角度出发,设计出磁芯磁路闭合的特殊磁芯电感,以及用于对比分析的两种薄膜电感：全磁膜电感和三文治结构电感。这些电感均由下层磁芯层、下层绝缘层(聚偏二氯乙烯,厚度约为40urn)、线圈和线圈中心的磁膜、上层绝缘层和上层磁芯层组成,其差别在于磁芯结构不同。本文将分两部分开展试验研究,一是采用直流磁控溅射法制备Co膜、Cu膜,采用射频磁控溅射法制备SiO2膜,研究沉积工艺对Co膜、Cu膜和Si02薄膜的组织性能的影响,由此初定薄膜的沉积工艺：二是采用磁控溅射方法,制备三种不同结构的薄膜电感,在1～3MHz的频率范围,比较三种电感的等效电感、寄生电容、电性能和损耗因子,探讨磁芯结构及薄膜沉积工艺对等效电感、寄生电容和损耗的影响,结果如下：1.在溅射沉积功率为60-132W、沉积时间为20-100mmin条件下制备的Co膜的电阻率随着溅射时间与溅射功率的增加而下降,薄膜电性能更好。在96W功率下沉积60min的Co膜表面组织致密,呈现柱状方式生长,厚度能达到510nm。Co/聚偏二氯乙烯复合膜呈现软磁性,Ms为8.47A·m2/Kg。2.在溅射沉积功率为40-80W、沉积时间为5-15min条件下制备的Cu膜的电阻率随着溅射时间与溅射功率的增加而下降,即薄膜电性能变好。在60W功率下沉积10min的Cu膜表面组织致密,呈柱状形式生长,厚度能达到600nm。3.在气氛中加入氧,氩/氧比为5：2时,有利于薄膜的生长,形成更为致密、颗粒更加微小的SiO2膜,但SiO2薄膜生长速率很慢,在本试验条件下未能形成完全覆盖导电Cu膜的绝缘膜。4.与三文治结构电感和全磁膜电感相比,特殊磁芯电感有更高的等效电感值、更小的寄生电容,但损耗因子较大。磁芯薄膜的电阻较高,有利于降低电感的涡流损耗。磁性薄膜的覆盖面积对电感线圈的电性能有影响,覆盖面越小,电感线圈的电阻越小。特殊磁芯电感线圈电阻最小,有利于降低电感的铜损。5.当提高Co膜和Cu膜溅射沉积功率时,都会增大电感的寄生效应,其中特殊磁芯电感的影响程度较小。当提高Co膜的溅射沉积功率时,能降低薄膜电感的损耗因子,但提高Cu膜的溅射沉积功率对薄膜的损耗因子影响不明显。