Cd_1-xZn_xTe晶体具有优异的光电性能，是一种非常重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。当x=0.04时，它是红外探测器材料Hg_1-yCd_yTe的理想外延衬底；当x=0.05～0.2时，它被用来制作高性能室温X射线及γ射线探测器。同时，也可用于光电调制器以及薄膜太阳能电池等。特别是采用高阻值Cd_0.9Zn_0.1Te晶体制备的X射线及γ射线探测器具有低的漏电流和高的探测效率，能够在室温下稳定工作，是最有前途的探测器用材料。 本文对和晶体生长密切相关的坩埚内壁镀膜工艺进行了系统研究，制定出相应的改进措施，得到了适用于Cd_1-xZn_xTe晶体生长的高质量碳膜。 采用ACRT-Bridgman法生长出Cd_0.9Zn_0.1Te及掺杂的Cd_0.9Zn_0.1Te:In晶体，并测试了二者的成分分布及光学、电学性能，发现两种晶锭中的成分分布差异不大，而后者的红外透过率较低，电阻率较高。 将退火与掺杂过程结合起来，根据多组分热力学原理制定了退火掺杂的工艺参数，对比研究了掺杂退火前后成分分布、In掺入量、红外透过率以及电阻率的变化情况。发现掺杂对晶体主成分分布的影响不大，但严重降低红外透过率。掺杂退火中In的掺入量已经超出晶体中Cd空位的数量，晶体电阻率大幅提高，已经满足核探测器对材料电学性能的要求。此外，对于在Cd_1-xZn_xTe晶体上制备稳定欧姆接触电极进行了相应的研究，制定出相应的蒸镀及退火工艺。