CuInS2是一种性能优越的太阳能电池材料，其具有光吸收率高，禁带宽度接近太阳能电池最佳禁带宽度，直接带隙半导体，即可制成p型薄膜也可做成n型薄膜，理论转化效率高，成本低等特点，被人们称为最有希望的光伏器件材料之一。本文旨在探求应用低能耗、环境友好的化学浴沉积方法，设计合理的实验路线，优化实验参数，制备出高结晶度的硫化铜与氧化锌薄膜，并研究其光学及电学特性。本论文的主要研究内容可分为以下两大部分：　　 1.设计反应路线，运用传统化学浴沉积与微波辅助方法成功制备出CuS薄膜，并比较了两种方法制备薄膜的热力学和动力学过程。研究反应时间、溶液pH值以及添加剂等反应参数对制备过程的影响。通过调节这些反应参数有效控制了制备过程，最终制备出结晶良好、符合化学计量比、表面具有特殊形貌的CuS薄膜，并对其带隙与电导率进行了计算。通过改造场发射测试方法对薄膜的场发射性能进行了评价，同时研究了反应时间与络合剂/分散剂的改变对其场发射性能的影响，通过计算薄膜的功函数、几何场增强因子以及有效发射面积，得到影响场发射性能的主导因素。　　 2.设计反应路线，运用传统化学浴沉积方法成功制备出ZnO薄膜。研究溅射参数、络合剂与反应溶液环境等反应参数对制备过程的影响。通过调节这些反应参数有效控制了制备过程，最终制备出结晶良好、具有纤锌矿结构的、具有高度（0002）取向的ZnO薄膜，并对其带隙与电导率进行了计算。选取波长为630nm的红光激光器作为光源，对ZnO一维纳米阵列是否存在光陷效应进行了证明。将ZnO进行Al元素的n型掺杂，并利用紫外-可见漫反射光谱对ZnO：Al一维纳米阵列进行了雾度的测试，研究了随着反应时间以及掺杂量的增加雾度的变化规律；对末掺杂ZnO与Al掺杂ZnO一维纳米阵列进行了电阻率和Hall效应的测试，研究了Al掺杂量的增加对薄膜载流子浓度以及迁移率的影响。