本论文中采用提拉法生长了一系列Mg:Er:LiNbO3晶体,研究了晶体的生长工艺、结构及光学性能。在晶体生长部分中,对晶体生长的工艺参数进行了探索与优化,确定了合理的生长工艺,生长出了质量较好的晶体,并对生长出的晶体进行了极化、切割、抛光等处理。X-射线衍射结果表明,虽然晶胞体积有所改变,但Mg:Er:LiNbO3晶体仍然保持LiNbO3晶体原有的晶格结构,说明掺入的Mg和Er是以取代Li或Nb的方式进入晶体。通过红外光谱和紫外可见吸收光谱的分析,研究了Mg在掺杂LiNbO3晶体中的掺杂阈值浓度及其占位情况,提出了Mg在晶体中的占位模型:Mg在掺杂LiNbO3晶体中的阈值浓度为4~5mol%之间,在掺Mg量低于阈值浓度时,Mg离子取代反位铌NbLi;高于阈值浓度时,Mg离子同时进入正常的Nb位和Li位。用直接观测光斑畸变法测试了Mg:Er:LiNbO3晶体的抗光损伤能力,结果表明其抗光损伤能力比纯LiNbO3晶体高2个数量级以上,优于单掺Mg或Er的LiNbO3晶体。进行了Mg:Er:LiNbO3 晶体的倍频性能的研究,测试的结果表明Mg(6mol%):Er(1mol%):LiNbO3 晶体获得最大倍频转换效率(38%)的相位匹配温度为98.2℃,温度条件比较宽松。其倍频转换效率较纯LiNbO3 晶体有显著的提高,这表明Mg:Er: LiNbO3晶体是一种优良的倍频晶体材料。