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本文以SiC为高辐射填料,分别以硅溶胶和正硅酸乙酯（TEOS）为溶剂采用粉浆法在GH4099薄板表面制备了红外高辐射涂层,研究了涂层的制备工艺,并对涂层的性能进行了表征。首先采用等离子喷涂法在GH4099上制备ZrO2过渡层,之后采用粉浆法在ZrO2过渡层上制备高辐射层,优化设计后得出了高辐射涂层的最佳制备工艺:硅溶胶为溶剂的涂层按配比100:8:2:0.25、100:4:2:0.25、100:0:2:0.25:0.8逐层涂刷;干燥制度是先室温干燥,再300℃烧结脱水;烧结工艺是首先用硅溶胶浸渍2 min后烧结1h,烧结之后再用硅溶胶浸渍,之后再300℃烧结0.5h,升温速率均为1℃/min。TEOS为溶剂的涂层按配比16:3:1:0.2、16:1.5:1:0.2、16:0:1:0.2:0.4逐层涂刷;采取干燥制度是先40℃水蒸气干燥,再室温干燥;烧结工艺为涂层首先300℃预烧结,保温30min。自然冷却后利用硅溶胶浸渍2 min后烧结1h,升温速率均是1℃/min。研究表明:硅溶胶为溶剂的涂层干燥过程中出现微裂纹,烧结温度对涂层的表面与截面形貌并无明显影响,而TEOS为溶剂的涂层干燥过程涂层基本不产生裂纹,烧结温度提高后涂层的致密性提高,900℃烧结后的涂层表层中出现了玻璃相;在涂层界面处存在成分突变,高辐射层内ZrO2存在成分梯度,并且表层的XRD只有YSZ、m-ZrO2和?-SiC的衍射峰;高辐射层的硬度与弹性模量的值均随着烧结温度的升高而增加,不同温度烧结的涂层在900℃―室温进行100次抗热震性试验后均没有产生宏观裂纹;随着烧结温度与测量温度的升高,涂层的发射率增大,可达0.92,降低涂层厚度发射率降低,TEOS为溶剂的涂层发射率整体上高于硅溶胶为溶剂的涂层发射率;1050℃保温2h后,TEOS为溶剂的涂层表面出现了玻璃相,封填了涂层表面的微裂纹。