随着社会的高速发展，信息科技对高性能器件的迫切需求直接推动着相关材料的发展。氮化铝是Ⅲ-Ⅴ族中具有较宽直接带隙(禁带宽度6.2eV)的半导体材料，由于其优异的物理化学性能和优良的电学及光学特性，使其在光学特别是高性能器件应用方面具有广阔的前景。我们利用射频磁控溅射和反应磁控溅射技术分别制备了氮化铝薄膜，研究了制备工艺对AlN材料性能的影响，并制备了AlN/ZnO纳米异质结研究了其性能，本论文的主要工作如下：　　利用AlN靶材通过RF磁控溅射在硅片上沉积氮化铝薄膜，分别探究不同工艺参数的影响。首先探究衬底温度的影响，结果表明当衬底温度为300oC时，AlN晶体质量最好，薄膜的表面均匀致密，平均粗糙度是1.07nm。在不加衬底温度的条件下分别研究了退火温度、两步法生长方式的影响，结果表明当退火温度为600oC的时候，AlN薄膜晶粒尺寸为25nm，薄膜较为平整，平均粗糙度为2.87nm；两步法30+30min生长时，薄膜具有合适的生长速率，为6nm/min。　　利用Al靶通过反应磁控溅射在硅片上沉积氮化铝薄膜，优化其生长工艺参数。首先优化溅射功率，结果表明只在300W时XRD出现微弱衍射峰；其次优化溅射压强，结果表明在0.5Pa时，薄膜最为平整，平均粗糙度在0.456nm；最后对其进行增加衬底温度和退火工艺处理，结果表明所制备薄膜的质量得到改善，溅射速率约5.63nm/min，平均粗糙度降到0.400nm。　　通过化学溶液法生长氧化锌纳米棒，探究种子层生长时间，结果表明氧化锌种子层生长5min时得到的纳米棒取向最佳，直径约为50nm，长1.7μm。后将反应磁控溅射制备的30min氮化铝薄膜作为缓冲层生长氧化锌纳米棒，结果表明当溅射5min种子层防止氮化铝水解并在氮气氛围300oC退火1h时，得到结晶质量更好，光致发光强度更高的氧化锌纳米阵列。　　制备AlN/ZnO异质结并对其分析，结果表明制备出的异质结具有明显整流特性，其光致发光强度急剧增强。