【摘 要】
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该论文利用基于异质结器件物理模型的公式计算并分析了材料结构和器件几何尺寸对器件最小噪声系数,截止频率和最大振荡频率等性能指标的影响,根据计算分析结果提出了HBT材料
【出 处】
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中国科学院微电子中心 中国科学院微电子研究所
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该论文利用基于异质结器件物理模型的公式计算并分析了材料结构和器件几何尺寸对器件最小噪声系数,截止频率和最大振荡频率等性能指标的影响,根据计算分析结果提出了HBT材料的外延结构.基于Hawkins的Si-BJT噪声模型并考虑到HBT器件的特点,提出了一个新的HBT高频噪声等效电路模型,同时利用噪声相关矩阵法计算了器件的噪声参数,计算结果与测量结果基本吻合.根据跨阻放大器电路性能指标要求,设计了三种不同的电路拓扑结构,并利用电路仿真软件进行了计算机仿真,仿真结果表明三种电路都能很好地满足2.5Gb/s跨阻放大器性能指标要求.
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