随着5G时代的快速发展,电子电气器件向着高功率密度、小型化和集成化发展的同时其高效散热也成为了一个至关重要并急需解决的问题。硅胶（SG）作为一种常用的电子灌封胶,具有良好的电气绝缘性、粘附性和密封性等优点,但较低的导热性能限制了其在更多领域的应用,因此,开发研制出能满足现今电子封装要求的的灌封胶已成为一个热点。本论文以制备出高导热的硅胶复合材料为主要目的,其中复合材料以双组份室温硫化硅胶为基体、鳞片石墨（FG）为主要导热填料、氮化硅（Si3N4）为辅助导热填料制成的,并详细地研究了FG的添加量、尺寸,FG的改性,FG和Si3N4的复配以及FG的取向等因素对复合材料导热性能、热稳定性能、电绝缘性能以及其他性能的影响。首先研究了FG的添加量和尺寸对复合材料的影响。结果表明,随着FG添加量的增加,复合材料的导热性能、热稳定性以及耐热性都得到了明显的提高;另外FG的尺寸也对复合材料的导热系数有着重要影响,在相同填充量下,尺寸更大的FG片对提升复合材料热导率的效果更佳,主要是因为大尺寸的FG片彼此接触的概率更大从而更容易在基体中形成导热路径。当FG添加量为40%、尺寸为50目时,FG/SG复合材料的热导率有最大值1.101W/（m·k）,比纯的SG（0.1641W/（m·k））提高了671%,并且复合材料的热稳定性和力学性能均比纯的SG高。采用了三种偶联剂KH550、KH560和NDZ-311w对50目、40%的FG进行改性,并研究了偶联剂的种类和浓度对FG/SG复合材料性能的影响。结果表明,随着偶联剂浓度的增加,复合材料的热导率先增加后减小,但改性后的复合材料的热导率均比未改性的复合材料的热导率高,并且其中KH550改性的效果最好。当KH550的浓度为1.5%时,复合材料的导热率有最大值1.507W/（m·k）,分别比纯的SG和未改性的FG/SG复合材料的热导率高9.18倍和1.37倍,这是因为偶联剂可改善聚合物与石墨之间的界面相容性和加强基体-填料之间的界面结合力从而降低界面热阻获得更高的导热性能。比起单一填料FG,FG/Si3N4复配填料填充SG时表现出更好补强效果以及更高的热导率。当填充30%FG/10%Si3N4时,复合材料的热导率为1.35W/（m·k）,分别比单一填充40%FG或40%Si3N4的复合材料高1.23倍和5.03倍,这是因为两种不同形状、尺寸填料之间的协同作用导致的。另外,经KH550、KH560和NDZ-311w三种偶联剂改性后的FG与Si3N4复配填充的硅胶复合材料的热导率均比未改性的FG/Si3N4/SG复合材料的高,其中KH550改性的30%FG/10%Si3N4/SG复合材料的导热效果最好为1.627W/（m·k）,分别比纯的SG和未改性的FG/Si3N4/SG复合材料高9.9倍和1.21倍。通过采用外加磁场的方法使FG沿磁场强度的方向发生取向后制得的复合材料具有更高的导热系数。当磁场强度为0.65T、FG的添加量为40%时,复合材料的导热系数有最大值为为1.849W/（m·k）,分别是纯的SG和未取向的FG/SG复合材料的11倍和1.7倍。这是因为FG具有各向异性的导热性质,其沿一定方向进行定向取向后所制备的导热复合材料在取向方向上往往具有较高的热导率。