SiC作为第三代半导体材料,因其优良的物理、机械性能等,日益成为电子器件、耐磨材料、核材料等方面研究的热点。在核材料方面,SiC／SiCf复合材料被认为是最有可能成为聚变堆结构材料。　　 退火回复阶段作为辐照诱导缺陷产生及演化过程的重要阶段,一直是辐照损伤研究的重点。针对这一阶段所开展的物性实验方法有多种,例如宏观尺寸、晶格常数、热膨胀、电导率等。本文利用X射线衍射这一结构分析的重要手段来研究辐照缺陷的退火回复,并探讨使用常规X射线粉末衍射仪测试单晶体的X射线衍射峰的半高宽所出现的一系列问题及其解决方法。　　 本文在阐述了有关实验方面重要基础知识的同时,深入地研究了中子辐照6H-SiC缺陷退火回复的X射线衍射检测技术,并对影响这一技术的各种因素加以分析,得出以下结论:　　 (1)仪器参数设置的不同对X射线衍射谱线有一定的影响,测试时必须保证参数设置的一致性。　　 (2)在单晶中,偏角的存在将导致X射线衍射仪探测器的旋转滞后或超前于X射线出射束,这将严重影响到X射线衍射谱线的强度和半高宽。　　 针对样品存在偏角的情况,提出了新的X射线检测方法——定向检测法,并对各方向进行检测所得的缺陷回复曲线加以比较,认为在使用X射线粉末衍射仪测试晶体且想获取较准确的信息时,最理想的X射线检测方向应选择半高宽最大值几乎不变的方向,此种定向测试法具有简便、快速、经济、实用的优点。