本文的主要研究目的是探索高压制备微波介电陶瓷的新方法。通过对介电陶瓷研究现状的调研,提出以硅酸镁(MgSiO3)微波介电陶瓷的快速烧结作为本文的研究内容。实验以氧化镁(MgO)和二氧化硅(SiO2)为原料、国产六面顶大腔体液压机为实验平台。在烧结实验之前,对六面顶大腔体液压机的腔体压力和温度进行了标定,并且与已有的标定结果进行了对比,证实了腔体压力和活塞直径之间存在平方正比关系。选择不同的烧结压力、温度和时间,制备了七组MgSiO3介电陶瓷。对陶瓷样品进行了密度、XRD、SEM、介电参数和力学特征测量,结论如下:1.在选择合适的压力和烧结温度的前提下,几分钟之内即可实现陶瓷体的烧结;在高压烧结过程中,MgSiO3可能发生结构相变。常压下制备的MgSiO3属于单斜晶系,当压力在4GPa、烧结温度高于1100℃时,MgSiO3转变为正交晶系;2.烧结温度的升高和时间的延长,都可以促进MgSiO3晶粒的生长,提高烧结压力的作用则恰好相反。晶粒越小陶瓷体的密度和抗弯强度越大;3.高压烧结的MgSiO3介电陶瓷,其介电常数最低值为6.7,达到了微波介电陶瓷的特性要求,并且烧结体具备较好的力学强度;4.烧结体晶粒较大、密度较高时烧结体介电常数较小,品质因子相对较高。由于晶粒的异常生长导致晶粒分布不均匀,晶粒间结合情况发生变化,品质因子增大的同时随频率的波动也会更加明显。本文借助高压设备,在极短时间内烧结出高致密度的MgSiO3陶瓷,一方面表明高压作为辅助条件可以极大程度地提高烧结效率,为介电陶瓷的制备提供了新的参考方法,另一方面也表明在微波频段(K波段)MgSiO3陶瓷的介电损耗相对较大,在Mg-Si-O体系的微波介电陶瓷烧结过程中,应当尽量避免MgSiO3的形成。